КР556РТ4А (63S140)

Цена: 1.67 гр. 1.67 гр.
  • Тип памяти: ROM (ПЗУ)
Количество на складе: 60
Количество: 

Микросхема ПЗУ КР556РТ4А

Описание и технические характеристики микросхемы ПЗУ КР556РТ4А:

Микросхема ПЗУ КР556РТ4А представляет из себя программируемое постоянное запоминающее устройство на основе ТТЛ-элементов с диодами Шоттки и обладает следующими параметрами [3]:

  • информационная емкость 1024 бит
  • организация 256 слов х 4 разряда
  • время выборки адреса не более 70 нс (при T = +25 oC)
  • напряжение питания 5 В + 5 %
  • потребляемая мощность не более 690 мВт
  • диапазон температур - 10 ... +70 oC
  • выход - открытый коллектор
  • совместимость по входу и выходу - с ТТЛ-схемами
  • коэффициент программируемости не менее 0.9
  • тип корпуса пластмассовый, 23816-2 (DIP-16)
  • микросхема поступает к потребителю в первоначальном состоянии, соответствующем логическому 0

Назначение выводов микросхемы КР556РТ4А (табл. 1):

Выводы Назначение Обозначение
1 ... 4, 5 ... 7, 15 Адресные входы A6 ... A3, A0 ... A2, A7
9 ... 12 Выход данных DO3 ... DO0
13, 14 Выбор микросхемы -CS1, -CS2
16 Напряжение питания Ucc
8 Общий 0 В

Таблица истинности микросхем КР556РТ4А (табл. 2):

-CS1 -CS2 A0 - A7 DO3 - DO0 Режим работы
M M X 1 Хранение (невыбор)
0 0 A Данные в прямом коде Считывание

M - любая комбинация сигналов -CS1, -CS2, кроме 00.
X - безразличный уровень сигнала.

Методика программирования микросхемы КР556РТ4А [3]:

Для записи информации в микросхему на ряд ее выводов подаются импульсы напряжения определенной амплитуды и длительности (рис. 1).

Рис. 1. Схема подключения ПЗУ КР556РТ4А в режиме записи информации (а), временные диаграммы (б) (нумерация и обозначения выводов адреса и данных не соответствует справочным данным, хотя сущность разъяснений по программированию от этого не меняется).

До программирования по всем адресам и разрядам в микросхеме содержится состояние "Лог. 0". В каждом цикле программируется только один разряд выбранного слова (побитное программирование). В исходном состоянии напряжение на выводах 13, 14 и 16 равно нулю. Запись бита информации производится в следующем порядке:

  • на адресные входы подается код адреса слова, в котором программируется бит
  • напряжение питания повышается до 5 + 0.25 В, источник напряжения при этом должен обеспечить ток не менее 150 мА
  • на выводы 9 ... 12 подается напряжение "Лог. 0"
  • напряжение питания повышается до 12.5 + 0.5 В, источник должен обеспечить ток не менее 400 мА; такое же напряжение Ei, i = 0 ... 3, через резистор R = 600 Ом подается на выход, соответствующий программируемому разряду, ток потребления не более 15 мА
  • напряжение на выводе 14 повышается до 15 + 0.5 В, ток потребления не более 100 мА
  • напряжение питания понижается до 0 ... 0.5 В
  • напряжение на выводе 14 понижается до 0 ... 0.5 В

Перечисленные операции повторяют для всех программируемых разрядов слова. После окончания записи слова обычно производят его контроль, для чего напряжение питания устанавливают равным 5 В и выполняют цикл считывания и проверки правильности записи. Допускается контролировать информацию после записи каждого бита. При обнаружении ошибок цикл записи следует повторить. Для предотвращения зависания тугоплавких перемычек во время программирования число повторных попыток ограничивается. В зависимости от длительности импульса напряжения питания t и числа допустимых попыток N различают три режима программирования ИС: нормальный (t1, N1), форсированный (t2, N2) и дополнительный (t1, N3) (табл. 3):

Длительность импульсов программирования, мкс (мс) 25 <= t1 <= 100
(10 <= 
t2 <= 15)
Число импульсов программирования на один бит 1000 <= N1 <= 4000
N2 = 100
40 <= N3 <= 100
Скважность программирующих импульсов 10 <= Q <= 20
Время предустановки напряжения питания при контроле, мкс 200 нс <= t1 <= 10 мкс
Время воздействия напряжения питания при контрле, мкс 1 < t2 <= 30
Время задержки подачи импульсов на входе разрешения выборки (-V1), нс 0 <= t3 <= 100
Время задержки снятия импульсов на входе разрешения выборки (-V1), нс 200 <= t4 <= 1000
Длительность фронта и спада импульса, нс 300 <= tф <= 500

Программирование слова начинают в нормальном режиме. Если нормальный режим не обеспечил правильную запись информации, то переходят к форсированному режиму. В случае неудачи и в этом режиме микросхема считается негодной. При первом успешном прохождении операции контроля, независимо от того, в нормальном или форсированном режимах программирования он был получен, необходимо перейти в дополнительный режим. Программирование следующего слова начинают после успешного выполнения всего дополнительного режима. При обнаружении ошибки контроля в дополнительном режиме (восстановление перемычки) делается повторная попытка записи информации. Микросхемы с записанной информацией рекомендуется подвергать электротермотренировке со считыванием информации с частотой 50 Гц ... 1 МГц последовательно по всем адресам микросхемы. Электротермотренировка проводится в течение 168 ч при температуре среды +70 oC. Микросхемы, у которых в процессе тренировки произошла потеря записанной информации, допускается программировать один раз повторно.

Для программирования микросхемы ПЗУ КР556РТ4А может быть использован аппаратный программатор [1].

Copyright MAXXmarketing GmbH
JoomShopping Download & Support