КТ815В

Цена: 1.07 гр. 1.07 гр.
  • Структура: NPN
  • Серия транзисторы: КТ
Количество на складе: 0

Цоколевка транзистора КТ815В

Цоколевка и размеры транзистора КТ815В

Обозначение транзистора КТ815В на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора КТ815В обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную от базы.

Обозначение транзистора КТ815В на схемах

Характеристики транзистора КТ815В

  • Структура n-p-n
  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 70 В
  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 65 В
  • Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 1500(3000) мА
  • Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 1(10) Вт
  • Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 40-275
  • Обратный ток коллектора <=50 мкА
  • Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>3 МГц
  • Коэффициент шума биполярного транзистора <0.6 дБ

Аналоги транзистора КТ815В

Copyright MAXXmarketing GmbH
JoomShopping Download & Support