2Т326Б

Цена: 10.00 гр. 10.00 гр.
Бренд: сделано в СССР
Вес: 0.0005 Кг.
Количество на складе: 1
Количество: 

2Т326Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. 
Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах. 
Транзисторы 2Т326А, 2Т326Б, КТ326А, КТ326Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. 
Тип прибора указывается на корпусе. 
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-1-7.
Технические условия: ЩТ0.336.003 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т326Б:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 400 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В (100 кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 45... 160;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 5 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 30 Ом;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 450 пс

Copyright MAXXmarketing GmbH
JoomShopping Download & Support