К174УН7 (LA4420)

Цена: 4.17 гр. 4.17 гр.
Бренд: сделано в СССР
Вес: 0.0013 Кг.
Количество на складе: 8
Количество: 

Микросхема представляет собой усилитель мощности звуковой частоты с номинальной выходной мощность 4,5 Вт на нагрузку 4 Ом. Аналог микросхемы TBA810AS и LA4420 (функциональный аналог). Микросхема предназначена для применения в телевизионной аппаратуре. Содержит 41 интегральный элемент. Конструктивно оформлена в корпусе типа 201.12.-1, 238.12-2. Масса не более 2,0 и 2,5гр соответственно (ТУ 1986г.).

Корпус ИМС К174УН7

 201.12.-1 type package view 1 - питание +Uи.п.;
4 - цепь обратной связи для регулировки Ку.u;
5 - коррекция;
6 - обратная связь;
7 - фильтр;
8 - вход;
9 - общий - Uи.п..
10 - эмиттер выходного транзистора;
12 - выход;
 238.12-2 type package view
201.12.-1   238.12-2



Принципиальная схема ИМС К174УН7

 K174UN7 principial scheme

Типовая схема включения ИМС К174УН4

 K174UN7 application scheme

Электрические параметры

═ 1 ═ ═ Номинальное напряжение питания 15 В ╠ 10%
═ 2 ═ 
═ Выходное напряжение при 
═ Uп = 15 В, fвх = 1 кГц
═ 
═ 2,6┘5,5 В
═ 3 ═ 
═ Максимальное входное напряжение при Uп = 15 В, 
═ Uвых = 3,16 В, fвх = 1 кГц, Рвых = 2,5 Вт
═ 
═ 30┘70 мВ
═ 4 ═ ═ Ток потребления при Uп = 15 В ═ 5┘20 мА
═ 5 ═ ═ Выходная мощность при Rн = 4 Ома ═ 4,5 Вт
═ 6 ═ 
═ 
═ 
═ Коэффициент гармоник при Uп = 15 В, fвх = 1 кГц:
═ Uвых = 4,25 В, Рвых = 4,5 Вт 
═ Uвых = 0,45 В, Рвых = 0,05 Вт 
═ Uвых = 3,16 В, Рвых = 2,5 Вт
═ 
═> 10 % 
═> 2 % 
═> 2 %
═ 7 ═ ═ Коэффициент усиления по напряжению при Т= -10┘+55°С ═ 45
═ 8 ═ ═ Входное сопротивление при Uп = 9 В, fвх = 1 кГц ═ 30 кОм
═ 9 ═ ═ Диапазон рабочих частот ═ 40┘20 000 Гц ═
10 ═ ═ Коэффициент полезного действия при Pвых = 4,5 Вт ═ 50 %



Предельно допустимые режимы эксплуатации

═ 1 ═ ═ Напряжение питания ═ 13,5┘16,5 В
═ 2 ═ ═ Амплитуда входного напряжения ═> 2,0В
═ 3 ═ 
═ 
═ Постоянное напряжение:
═ на выводе 7 
═ на выводе 8
═ 
═> 15 В
═ 0,3┘2,0 В
═ 4 ═ ═ Сопротивление нагрузки ═ 4 Ом
═ 5 ═ 
═ 
═ Тепловое сопротивление:
═ кристалл-корпус 
═ кристалл-среда
═ 
═ 20°С/Вт
═ 100°С/Вт
═ 6 ═ ═ Температура окружающей среды ═ ═ ═ ═ -10┘+55°С
═ 7 ═ ═ Температура кристалла ═ + 85 °С



Общие рекомендации по применению

Не допускается эксплуатация микросхемы без дополнительного теплоотвода при мощности в нагрузке более 0,27 Вт. При температуре корпуса выше 60°С максимальная рассеиваемая мощность рассчитывается по формуле
Р=(150-Ткорп)/20, Вт (с теплоотводом), 
где Ткорп - температура на поверхности теплоотвода у основания пластмассового корпуса микросхемы.

 

Допускается кратковременное (в течении 3 мин) увеличение напряжения питания до 18 В. Подача постоянного напряжения от внешнего источника на выводы 56 и 12 микросхемы недопустима. Выходное сопротивление источника питания должно быть не более 0,05 Ом.

Copyright MAXXmarketing GmbH
JoomShopping Download & Support